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  • 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分析詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-08-12 19:27:57
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    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分析詳解
    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管圖解
    絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng),由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來(lái)控制漏極電流的器件,它的柵極與半導(dǎo)體之間是絕緣的,其電阻大于1000000000Ω。
    增強(qiáng)型:VGS=0時(shí),漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下無(wú)iD。耗盡型:VGS=0時(shí),漏源之間有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下iD。
    1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)
    在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
    增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
    1、柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣,它們之間的電阻無(wú)限大;
    2、沒(méi)有外加電壓時(shí)漏極與源極之間不導(dǎo)通;增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱(chēng)襯底),漏極連接的為N半導(dǎo)體,襯底與源極連在一起,故P型襯底與漏極N型半導(dǎo)體會(huì)形成二極管,稱(chēng)為寄生二極管;因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
    增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管工作原理:在柵極與源極之間加上正向電壓后,達(dá)到一定值后就會(huì)形成導(dǎo)電溝道,改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力。
    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
    耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
    1、柵極與漏極、源極絕緣,它們之間的電阻無(wú)限大;
    2、漏極與源極之間能夠?qū)ǎ瑴系涝谥圃鞎r(shí)就已形成;在柵極與源極之間加上反向向電壓后,改變電壓就改變了導(dǎo)電溝道的寬度和導(dǎo)電能力。
    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
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