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    650SJ520 超潔MOS管
    極性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:650V
    Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±30V
    Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:8A
    Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃:57W
    Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=1.5A,VGS=10V: Typ 0.5Ω Max 0.6Ω
    Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=Typ Ω Max Ω
    Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
    650SJ520超潔MOS管TO-252封裝尺寸:
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